Моя заявка (0)
NLV32T-101J-EFD, Дроссель: ферритовый; SMD; 1210; 100мкГн; 40мА; 10Ом; Q: 20; ±5%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017615280
Артикул
NLV32T-101J-EFD
Бренд
TDK/EPCOS
ECCN
EAR99
PPAP
Unknown
Type
Wirewound
HTSUS
8504.50.8000
Цена по запросу
(от 14,27 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Неэкранированный проволочный индуктор емкостью 100 мкГн, 40 мА, 10 Ом, макс. 1210 (3225 метрическиx)

Технические параметры

ECCNEAR99
PPAPUnknown
TypeWirewound
HTSUS8504.50.8000
SeriesNLV-EFD ->
EU RoHSCompliant
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
RatingsAEC-Q200
MountingSurface Mount
Q @ Freq20 @ 796kHz
Case Size1210
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
ShieldingUnshielded
ToleranceВ±5%
AutomotiveYes
Inductance100ВµH
TechnologyWirewound
Вес, г0.05
СерияNLV
Part StatusActive
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Core MaterialFerrite
Mounting TypeSurface Mount
Inductance (H)100u
Package / Case1210 (3225 Metric)
Material - CoreFerrite
Protection StyleMolded/Unshielded
Size / Dimension0.126"" L x 0.098"" W (3.20mm x 2.50mm)
DC Resistance (DCR)10Ohm Max
Number of Terminals2
Типоразмер1210
Current Rating (Amps)40mA
Height - Seated (Max)0.094"" (2.40mm)
Operating Temperature-40В°C ~ 105В°C
Maximum DC Current (A)0.04
Minimum Quality Factor20
Особенностисиловая, ферритовый сердечник
Supplier Device Package1210
Добротность,Q20
Frequency - Self Resonant10MHz
Inductance Frequency - Test796kHz
Maximum DC Resistance (Ohm)10
Quality Test Frequency (Hz)796K
Способ монтажаSMD/SMT
Inductance Test Frequency (Hz)796K
Maximum Saturation Current (A)0.04
Длина корпуса,мм3.2
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Operating Temperature (°C)105
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Minimum Self Resonant Frequency (Hz)10M
Рабочая температура,С-40…+105
Inductance Decrease Percentage @ Isat (%)10
Активное сопротивление,Ом10
Диаметр (ширина)корпуса,мм2.5
Максимальный постоянный ток,мА40
Номинальная индуктивность, мкГн100
Допуск номинальной индуктивности,%5

Техническая документация