NLFV25T-1R0M-EF, Wirewound Inductor, 1 µH, 0.07 ohm, 100 MHz, 455 mA, 1008 [2520 Metric], NLFV25-EF Series
![NLFV25T-1R0M-EF, Wirewound Inductor, 1 µH, 0.07 ohm, 100 MHz, 455 mA, 1008 [2520 Metric], NLFV25-EF Series](https://static.epl-electro.ru/lib/347/DOC024347106.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8892399786
- Артикул
- NLFV25T-1R0M-EF
- Бренд
- TDK/EPCOS
- ECCN
- EAR99
- Type
- Wirewound
- HTSUS
- 8504.50.8000
- Series
- NLFV ->
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Экранированный проволочный индуктор емкостью 1 мкГн, 455 мА, не более 80 Мом, нестандартный, 2 вывода
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | Wirewound |
| HTSUS | 8504.50.8000 |
| Series | NLFV -> |
| Moulded | Yes |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Shielded | Yes |
| Shielding | Shielded |
| Tolerance | В±20% |
| Inductance | 1ВµH |
| Вес, г | 0.025 |
| Серия | NLFV25-EF |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package/Case | 1008(2520M) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Core Material | Ferrite |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Nonstandard, 2 Lead |
| Material - Core | Ferrite |
| Size / Dimension | 0.098"" L x 0.079"" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Maximum DC Current | 455mA |
| DC Resistance (DCR) | 80mOhm Max |
| Типоразмер | 1008 |
| Current Rating (Amps) | 455mA |
| Height - Seated (Max) | 0.075"" (1.90mm) |
| Inductor Construction | Wire-Wound |
| Maximum DC Resistance | 80mΩ |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 105В°C |
| Особенности | проволочная |
| Frequency - Self Resonant | 100MHz |
| Inductance Frequency - Test | 7.96MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +105°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Длина корпуса,мм | 2.5 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 2.52MHz |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Активное сопротивление,Ом | 0.07 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 455 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |