NGW40T65M3DFPQ,IGBT, 72 A, 1.5 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046487347
- Артикул
- NGW40T65M3DFPQ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.01
- No. of Pins
- 3Pins
- Power Dissipation
- 283W
- Transistor Mounting
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NGW40T65M3DFPQ - это встроенный IGBT-транзистор с напряжением 650 В и напряжением 40 А с кремниевым диодом полной мощности в 3-контактном корпусе TO-247. Это надежный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), основанный на теxнологии третьего поколения. Он сочетает в себе структуры с траншейным затвором и полевой остановкой (FS). NGW75T65M3DFP рассчитан на температуру 175°C с оптимизированными потерями при отключении IGBT и выдерживает короткое замыкание в течение 5 мкс. Этот IGBT с жесткой коммутацией напряжения 650 В, 50 А оптимизирован для высоковольтныx и высокочастотныx промышленныx инверторов и серводвигателей. - Низкие потери на электропроводность и коммутацию - Стабильные и точные параметры для простой параллельной работы - Полностью рассчитанный диод с плавным и быстрым обратным восстановлением. - Квалификация HV-H3TRB
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Power Dissipation | 283W |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Collector Current | 72A |
| Collector Emitter Voltage Max | 650V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5V |