NDSH20120C, SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018662264
- Артикул
- NDSH20120C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- EliteSiC
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 1200 В 26А со сквозным отверстием TO-247-2
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | EliteSiC |
| Корпус | TO-247-2L |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 1480pF @ 1V, 100kHz |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 26A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 20 A |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 20 |