NCV8402ASTT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 42 В 2 А 8.9 Вт SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538217
- Артикул
- NCV8402ASTT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- NCV8402A
- Fall Time
- 50 us
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 68,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 42 В 2 А 8.9 Вт SOT-223 Характеристики Категория Микросхема Тип драйвер Вид контроллер затвора, low-side switch Монтаж SMD Кол-во каналов 1
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | NCV8402A |
| Fall Time | 50 us |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 120 us |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.233 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 us |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 us |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |