NCV5702DR2G, IGBT Driver, Half Bridge, 4A, 20V Max Supply, 59ns/54ns Delay, SOIC-16
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001689243
- Артикул
- NCV5702DR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- High-Side, Low-Side
- Brand:
- onsemi
- Product:
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- Shutdown:
- Shutdown
Цена по запросу
(от 503 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | High-Side, Low-Side |
| Brand: | onsemi |
| Product: | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Shutdown: | Shutdown |
| Fall Time: | 7.9 ns |
| Rise Time: | 9.2 ns |
| Вес, г | 3.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Configuration: | Inverting |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Output Current: | 4 A |
| Output Voltage: | 5 V |
| Package / Case: | SOIC-16 |
| IC Case / Package | SOIC |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Ток стока | 1А |
| Number of Drivers: | 1 Driver |
| Number of Outputs: | 1 Output |
| Ток истока | 1А |
| Supply Voltage - Max: | 20 V |
| Supply Voltage - Min: | 0 V |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Propagation Delay - Max: | 75 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time: | 75 ns |
| Maximum Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Задержка Выхода | 54нс |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Задержка по Входу | 59нс |
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Тип переключателя питания | IGBT |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |