NCV5700DR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005374032
- Артикул
- NCV5700DR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- Half Bridge
- Polarity
- Non-Inverting
- Topology
- High and Low Side
- Fall Time
- 7.9ns
Цена по запросу
(от 221,98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы для управления затвором HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Технические параметры
| Тип | Half Bridge |
| Polarity | Non-Inverting |
| Topology | High and Low Side |
| Fall Time | 7.9ns |
| Pin Count | 16 |
| Rise Time | 9.2ns |
| Time Delay | 75ns |
| Вес, г | 0.142 |
| Bridge Type | Half Bridge |
| Package Type | SO |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Output Current | 6.8 A, 7.8 A |
| Supply Voltage | 30V |
| Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Number of Drivers | 1 |
| Number of Outputs | 1 |
| Automotive Standard | AEC-Q100 |
| Отключение | Shutdown |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7.9 ns |
| Выходной ток | 7.8 A |
| Тип продукта | Gate Drivers |
| Квалификация | AEC-Q100 |
| Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SO-16 |
| High and Low Sides Dependency | Independent |
| Время нарастания | 9.2 ns |
| Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
| Количество выходов | 1 Output |
| Выходное напряжение | 5 V |
| Количество драйверов | 1 Driver |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Напряжение питания - макс. | 20 V |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Рабочий ток источника питания | 900 uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное время задержки включения | 75 ns |
| Максимальное время задержки выключения | 75 ns |