Моя заявка (0)

NCP5181DR2G, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2?1.4A

NCP5181DR2G, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2?1.4A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029502166
Артикул
NCP5181DR2G
Бренд
ON Semiconductor***
Package
8PDIP
Mounting
Through Hole
Rad Hard
No
Fall Time
20ns
Цена по запросу
(от 191,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2?1.4A Характеристики Категория Микросхема Тип драйвер Вид IGBT

Технические параметры

Package8PDIP
MountingThrough Hole
Rad HardNo
Fall Time20ns
Load TypeMOSFET
PackagingRail/Tube
Rise Time40ns
Вес, г0.15
Driver TypeHigh and Low Side
КорпусDIP-8
Supply Voltage10V~20V
Maximum Fall Time40 ns
Maximum Rise Time60 ns
Number of Drivers2
Number of Outputs2
Output Resistance5 Ohm
Peak Output Current2.2 A
Driven ConfigurationHalf Bridge
Driver ConfigurationNon-Inverting
Operating Temperature-40℃~+150℃@(Tj)
Maximum Supply Current6.5 mA
Input Logic Compatibility3.3V|5V
Maximum Power Dissipation100 mW
Peak Output Current(sink)2.2A
Peak Output Current(source)1.4A
Maximum Operating Supply Voltage20 V
Minimum Operating Supply Voltage10 V

Техническая документация