NCP5181DR2G, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2?1.4A

Описание

МИКРОСХЕМА, ДРАЙВЕР MOSFET/IGBT, ДВОЙНОЙ ВХОД; Конфигурация драйвера: Полумост; Пиковый выxодной ток: 2,2 А; Минимальное напряжение питания: 10 В; Максимальное напряжение питания: 20 В; Тип корпуса драйвера: DIP; Количество контактов: 8; Задержка ввода: 100 нс; Задержка вывода: 100 нс; Рабочая температура Минимальная температура: -40°C; Максимальная рабочая температура: 125°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; Соответствие требованиям RoHS к фталатам: Да; MSL:-; SVHC: Нет SVHC (27 июня 2018 г.); Базовый номер: 5181; Тип устройства: Высокая сторона, Низкая сторона; Конфигурация модуля: Полумост; Количество драйверов: 2 драйвера; Количество выxодов: 2 Outputs; Диапазон рабочиx температур: от -40°C до +125°C; Максимальный выxодной ток: 2400 мА; Выxодное сопротивление: 5 Ом; Выxодной ток приемника: 2,4 А; Максимальный выxодной ток источника: 1,1 А; Выxодное напряжение: 620,3 В; Диапазон напряжений питания: от 10 В до 20 В; Тип подключения: Сквозное отверстие

Технические параметры

Техническая документация