Моя заявка (0)

NCP5109BDR2G, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500?250mA

NCP5109BDR2G, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500?250mA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062262492
Артикул
NCP5109BDR2G
Бренд
ON Semiconductor***
Load Type
MOSFET
Вес, г
1
Supply Voltage
10V~20V
Driven Configuration
Half Bridge
Цена по запросу
(от 131,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полумост 2 250 мА 85нс 35нс 10 В ~ 20 В 500 мА SOIC-8 микросxем привода затвора ROHS

Технические параметры

Load TypeMOSFET
Вес, г1
Supply Voltage10V~20V
Driven ConfigurationHalf Bridge
Operating Temperature-40℃~+125℃
Peak Output Current(sink)600mA
Peak Output Current(source)290mA

Техническая документация