Моя заявка (0)

NCP5106BDR2G, Полумост, 250 мА, 10-20 В, 500 мА, SOIC-8-150mI, ИС привода затвора

NCP5106BDR2G, Полумост, 250 мА, 10-20 В, 500 мА, SOIC-8-150mI, ИС привода затвора

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017566148
Артикул
NCP5106BDR2G
Бренд
ON Semiconductor***
Fall Time
35ns
Load Type
IGBT;MOSFET
Pin Count
8
Rise Time
85ns
Цена по запросу
(от 104,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полумост 2 250 мА 85нс 35нс 10 В ~ 20 В 500 мА SOIC-8-150mil Микросxемы привода затвора ROHS

Технические параметры

Fall Time35ns
Load TypeIGBT;MOSFET
Pin Count8
Rise Time85ns
Time Delay170ns
Вес, г0.21
Package TypeSOIC
Mounting TypeSurface Mount
Output Current500 mA
Supply Voltage10V~20V
Number of Drivers2
Number of Outputs2
Driven ConfigurationHalf Bridge
Operating Temperature-40℃~+125℃@(Tj)
Peak Output Current(sink)500mA
Peak Output Current(source)250mA
High and Low Sides DependencyIndependent

Техническая документация