Моя заявка (0)
NCD5701ADR2G, SOIC8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026475157
Артикул
NCD5701ADR2G
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
Half-Bridge
Brand:
onsemi
Тип
High Side, Low Side
Product:
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Цена по запросу
(от 159,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Нижняя сторона 1 IGBT 4A 18ns 19ns 20V 6A Микросxемы привода затвора SOIC-8 ROHS

Технические параметры

Type:Half-Bridge
Brand:onsemi
ТипHigh Side, Low Side
Product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
Fall Time19ns
Load TypeIGBT
Rise Time18ns
Shutdown:Shutdown
Fall Time:19 ns
Rise Time:18 ns
Вес, г0.1
СерияNCD5701
Technology:Si
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOIC-8
Product Type:Gate Drivers
Supply Voltage20V
ПродуктIGBT, MOSFET Gate Drivers
Mounting Style:SMD/SMT
Output Current:4 A
Output Voltage:800 mV, 14.1 V
Number of Drivers1
Product Category:Gate Drivers
Number of Drivers:1 Driver
Number of Outputs:1 Output
Driven ConfigurationLow Side
ОтключениеShutdown
ТехнологияSi
Operating Temperature-40℃~+150℃@(Tj)
Supply Voltage - Max:30 V
Supply Voltage - Min:20 V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада19 ns
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:700 mW
Выходной ток1 A
Тип продуктаGate Drivers
ПодкатегорияPMIC - Power Management ICs
Operating Supply Current:10 uA
Peak Output Current(sink)6A
Maximum Turn-On Delay Time:75 ns
Peak Output Current(source)4A
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOIC-8
Maximum Turn-Off Delay Time:75 ns
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Время нарастания18 ns
Категория продуктаДрайверы для управления затвором
Количество выходов1 Output
Выходное напряжение800 mV, 14.1 V
Количество драйверов1 Driver
Pd - рассеивание мощности700 mW
Напряжение питания - мин.15 V
Напряжение питания - макс.30 V
Размер фабричной упаковки2500
Рабочий ток источника питания10 uA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Максимальное время задержки включения75 ns
Максимальное время задержки выключения75 ns

Техническая документация