NCD57001DWR2G, Galvanically Isolated Gate Drivers GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005372209
- Артикул
- NCD57001DWR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- Inverting, Non-Inverting
- Вес, г
- 2
- Продукт
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 685,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы для управления затвором GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Технические параметры
| Тип | Inverting, Non-Inverting |
| Вес, г | 2 |
| Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Выходной ток | 6 A |
| Тип продукта | Gate Drivers |
| Конфигурация | Inverting, Non-Inverting |
| Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOIC-16 |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
| Количество выходов | 1 Output |
| Выходное напряжение | 0.8 V |
| Количество драйверов | 1 Driver |
| Pd - рассеивание мощности | 1400 mW |
| Напряжение питания - мин. | 3.3 V |
| Напряжение питания - макс. | 5 V |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Рабочий ток источника питания | 4.8 mA |
| Задержка распространения - макс. | 90 ns |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное время задержки включения | 90 ns |
| Максимальное время задержки выключения | 90 ns |