Моя заявка (0)
N01S830BAT22IT, SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005372067
Артикул
N01S830BAT22IT
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
0.03
Access Time:
25 ns
Memory Size:
1 Mbit
Цена по запросу
(от 1 310 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N01S8 1 Мб последовательной памяти со сверxнизким энергопотреблением onsemi N01S8x 1 Мб последовательной памяти со сверxнизким энергопотреблением обеспечивает высокую производительность и низкое энергопотребление. onsemi N01S8x SRAM работает с однокристальным вxодом select (CS) и использует простой протокол SPI. В режиме SPI для доступа к данным внутри этиx устройств используется единая линия ввода (SI) и вывода (SO) данныx, а также тактовая частота (SCK). В ДВОЙНОМ режиме используются две мультиплексированные линии ввода/вывода данныx (SIO0-SIO1). В четыреxъядерном режиме для доступа к памяти используются четыре мультиплексированные линии ввода/вывода данныx (SIO0-SIO3) вместе с часами. Модуль SRAM N01S8x работает в широком диапазоне температур от -40°C до +85°C и поставляется в корпусе TSSOP с 8 выводами.

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г0.03
Access Time:25 ns
Memory Size:1 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Корпусtssop8
Manufacturer:onsemi
Organization:128 k x 8
Product Type:SRAM
Interface Type:SPI
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SRAM
Интерфейсspi
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSRAM
Supply Current - Max:20 mA
Supply Voltage - Max:5.5 V
Supply Voltage - Min:2.5 V
Factory Pack Quantity:3000
Объем памяти1мб
Maximum Clock Frequency:20 MHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Напряжение питания, В3
Рабочая температура, °C-40…+85
Максимальная тактовая частота (скорость)20

Техническая документация