Моя заявка (0)

MUR410G,Fast / Ultrafast Diode, 100 V, 4 A, Single, 890 mV, 35 ns, 125 A

MUR410G,Fast / Ultrafast Diode, 100 V, 4 A, Single, 890 mV, 35 ns, 125 A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8874497303
Артикул
MUR410G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
Fast Recovery Rectifiers
Brand
ON Semiconductor
Width
5.3 mm(Max)
Цена по запросу
(от 101 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ДИОД, БЫСТРЫЙ, 4A, 100 В, КОРПУС, 267-05; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Max:100 В; Прямой ток If(AV):4 А; Конфигурация диода: Одиночный; Прямое напряжение VF Max:890 мВ; Время восстановления в обратном направлении trr Max:35 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max:125 А; Рабочая температура Макс.: 175°C; Тип корпуса диода: DO-201AD; Количество контактов: 2 Pin; Ассортимент продукции: Серия MUR41; Автомобильный квалификационный стандарт: -; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальное напряжение пробоя: 100 В; Ток Ifsm: 125 А; Тип диода: Быстрое восстановление; Прямое напряжение: 890 мВ; Максимальная температура соединения Tj: 175°C; Количество контактов: 2; Минимальная рабочая температура: -65°C; Диапазон рабочиx температур: от -65°C до +175°C; Тип соединения: Осевое свинцовое

Технические параметры

RoHSDetails
TypeFast Recovery Rectifiers
BrandON Semiconductor
Width5.3 mm(Max)
Height5.3 mm(Max)
Length9.5 mm(Max)
SeriesMUR410
ProductRectifiers
Diameter5.3mm
PackagingReel
Pin Count2
Diode TypeRectifier
Вес, г1.134
Unit Weight0.038801 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeDO-201AD
КорпусDO-201AD(DO27)
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Recovery Time35 ns
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseDO-201AD
Rectifier TypeGeneral Purpose
Diode TechnologySilicon Junction
Product CategoryRectifiers
Max Surge Current125 A
Termination StyleThrough Hole
Diode ConfigurationSingle
If - Forward Current4 A
Ir - Reverse Current5 uA
Vf - Forward Voltage890 mV
Vr - Reverse Voltage100 V
Factory Pack Quantity1500
Peak Reverse Recovery Time75ns
Number of Elements per Chip1
Maximum Forward Voltage Drop890mV
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Peak Reverse Repetitive Voltage100V
Maximum Continuous Forward Current4A
Конфигурация диодаОдиночный
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current125A
Кол-во диодов в корпусе1
Максимальное постоянное обратное напряжение, В100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А)4
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В)0.89

Техническая документация