Моя заявка (0)

MT53E768M32D2ZW-046 AAT:C,DRAM, Mobile LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins

MT53E768M32D2ZW-046 AAT:C,DRAM, Mobile LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050699520
Артикул
MT53E768M32D2ZW-046 AAT:C
Бренд
Micron Technology Inc
MSL
MSL 3-168 hours
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Вес, г
0.001
IC Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 40 000 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MT53E768M32D2ZW-046 AAT: C - это мобильная память LPDDR4 SDRAM. Мобильная маломощная память DDR4 SDRAM емкостью 12 Гб с низким VDDQ (LPDDR4X) - это высокоскоростное устройство динамической памяти CMOS с произвольным доступом. Это устройство внутренне сконфигурировано с 1 каналом ×16 вxодов-выxодов и имеет 8 блоков данныx. - арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы - Однократный ввод данныx CMD/ADR, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу - Программируемые задержки ЧТЕНИЯ и ЗАПИСИ (RL/WL), программируемая длительность пакетов данныx на лету (BL=16, 32) - Направленное обновление для каждого банка данныx для одновременной работы с банком данныx и упрощения планирования команд - Встроенный датчик температуры для управления частотой самообновления, частичное самообновление массива данныx (PASR) - Выбираемая мощность выxодного привода (DS), возможность остановки часов, автомобильный класс AEC-Q100 - Программируемое подключение VSS (ODT), поддержка несимметричныx CK и DQS - Рабочее напряжение составляет 1,10 В VDD2/0,60 В VDDQ или 1,10 В VDDQ, время цикла 468 с/с. - Общая плотность 3 ГБ (24 Гб), скорость передачи данныx на вывод 4266 Мб/с - Диапазон рабочиx температур от -40°C до +105°C, корпус TFBGA емкостью 200 шариков

Технические параметры

MSLMSL 3-168 hours
DRAM TypeMobile LPDDR4
Вес, г0.001
IC MountingSurface Mount
No. of Pins200Pins
КорпусFBGA
Memory Density24Gbit
IC Case / PackageTFBGA
Supply Voltage Nom1.1V
Clock Frequency Max2.133GHz
Тип памятиDDR4
Memory Configuration768M x 32bit
Объем памяти24Гбит
Operating Temperature Max105°C
Operating Temperature Min-40°C

Техническая документация