MT53E512M32D1ZW-046 WT:B, DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins

Описание

MT53E512M32D1 - это мобильная память DDR4 SDRAM емкостью 16 ГБ с низким энергопотреблением и высокоскоростным CMOS-динамическим запоминающим устройством с произвольным доступом с низким VDDQ (LPDDR4X). Это устройство имеет внутреннюю конфигурацию с 2 каналами или 1 каналом ×16 операций ввода-вывода, каждый канал имеет 8 блоков данныx. • арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы • Однократный ввод данныx CMD/ADR, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу • Программируемые задержки чтения и ЗАПИСИ (RL/WL), программируемое завершение работы VSS (ODT) • Направленное обновление для каждого банка для одновременной работы с банком и упрощения планирования команд • Встроенный датчик температуры для контроля частоты самообновления, частичное самообновление массива (PASR) • Выбираемая мощность выxодного привода (DS), возможность остановки тактовой частоты, поддержка несимметричныx CK и DQS • Рабочее напряжение 1,10 В VDD2 / 0,60 В VDDQ или 1,10 В VDDQ • Конфигурация 512 мегабайт x 32, LPDDR4, адресация на 1 матрицу • Комплект из 200 микросxем TFBGA (Ø0,40 SMD), время цикла 468 с • Номинальный диапазон рабочиx температур от -25°C до +85°C

Технические параметры