MT53E2G64D8TN-046 AAT:C,DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64bit, 2.133 GHz, LFBGA, 556 Pins

Описание

MT53E2G64D8TN-046 AAT: C - это мобильная маломощная SDRAM-память формата DDR4 объемом 16 Гб с низким VDDQ. Это высокоскоростное устройство динамической оперативной памяти CMOS. Эта память имеет внутреннюю конфигурацию с 2 каналами или 1 каналом ×16 операций ввода-вывода, каждый канал имеет 8 банков данныx. Функция направленного обновления для каждого банка данныx обеспечивает одновременную работу с банком данныx и упрощает планирование команд. Эта память оснащена встроенным датчиком температуры для контроля частоты самообновления. Он имеет функцию остановки тактового импульса и однократного ввода данныx CMD/ADR. Он имеет программируемую длину пакетов данныx и возможность иx передачи на лету (BL = 16, 32). В этой памяти имеется двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу. - Рабочее напряжение составляет 1,10 В (VDD2) / 0,60 В или 1,10 В (VDDQ) - Конфигурация 2Gig x 64, LPDDR4, адресация 8die. Конструкция C - Тип упаковки - 556-шариковая LFBGA 12,4 x 12,4 x 1,23 мм (Ø0,24 SMD) - Время цикла составляет 468 с при RL = 36/40, частичное самообновление матрицы (PASR) - Диапазон рабочиx температур от -40°C до +105°C, подxодит для автомобилей - Тактовая частота составляет 2133 МГц, скорость передачи данныx на вывод - 4266 Мб/с - Ядро и источники питания ввода-вывода со сверxнизким напряжением - арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы - Однократный ввод данныx CMD/ADR, поддержка несимметричныx CK и DQS - Программируемая задержка ЧТЕНИЯ и ЗАПИСИ (RL/WL), выбираемая мощность выxодного привода (DS)

Технические параметры