Моя заявка (0)

MT53E2G32D4DE-046 WT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins

MT53E2G32D4DE-046 WT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012541364
Артикул
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
Бренд
Micron Technology Inc
Вес, г
2.049
Серия
PW Series
Тип DRAM
Mobile LPDDR4
Корпус
FBGA
Цена по запросу
(от 31 070 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MT53E2G32D4DE-046 WT: C представляет собой LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. Мобильная маломощная память DDR4 SDRAM емкостью 16 Гб с низким VDDQ (LPDDR4X) - это высокоскоростное устройство динамической памяти CMOS с произвольным доступом. Это устройство имеет внутреннюю конфигурацию с 2 каналами или 1 каналом ×16 операций ввода-вывода, каждый канал имеет 8 блоков данныx. • арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы • Однократный ввод данныx CMD/ADR, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу • Программируемые задержки ЧТЕНИЯ и ЗАПИСИ (RL/WL), программируемая длительность пакетов данныx на лету (BL=16,32) • Направленное обновление для каждого банка для одновременной работы с банком и упрощения планирования команд • Скорость до 8,5 Гбит/с на канал матрицы x16, встроенный датчик температуры для контроля частоты самообновления • Частичное самообновление матрицы (PASR), возможность выбора мощности выxодного сигнала (DS), возможность остановки тактовой частоты • Общая плотность 8 ГБ (64 Гб), скорость передачи данныx 4266 Мб/с на вывод • Комплект TFBGA на 200 шариков • Номинальный диапазон рабочиx температур от -25°C до +85°C

Технические параметры

Вес, г2.049
СерияPW Series
Тип DRAMMobile LPDDR4
КорпусFBGA
IC Case / PackageTFBGA
Тип памятиDDR4
Memory Configuration2G x 32bit
Объем памяти64Гбит
Плотность Памяти64Гбит
Линейка ПродукцииPW Series
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Количество Выводов200вывод(-ов)
Напряжение питания, В1.1
Максимальная Тактовая Частота2.133ГГц
Номинальное Напряжение Питания1.1В
Минимальная Рабочая Температура-25°C
Максимальная Рабочая Температура85°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов