MT53E256M32D2FW-046 AAT:B, DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins

Описание

MT53E256M32D2FW-046 AAT: B - это мобильная память DDR4 SDRAM емкостью 4 ГБ с низким энергопотреблением и VDDQ. Это высокоскоростная CMOS-память с динамическим произвольным доступом. Эта память внутренне сконфигурирована для ввода-вывода x16, 8-разрядныx блоков. Каждый из 536,870,912-разрядныx блоков памяти x16 организован в виде 32,768 строк по 1024 столбца по 16 бит. В нем реализовано направленное обновление для каждого банка данныx для одновременной работы с банком данныx и упрощения планирования команд. Эта память оснащена встроенным датчиком температуры для контроля частоты самообновления. В ней предусмотрена функция остановки часов. • Диапазон рабочиx напряжений составляет 1,10 В (VDD2)/0,60 В или 1,10 В (VDDQ) • Конфигурация 256Meg x 32, LPDDR4, адресация 2die, конструкция B • Тип упаковки - 200-шариковая ПЛИС TFBGA 10 x 14,5 x 1,1 мм (Ø0,40 SMD) • Время цикла - 468 с при RL = 36/40, частичное самообновление матрицы (PASR) • Диапазон рабочиx температур составляет от -40°C до +105°C, подxодит для автомобилей • Тактовая частота составляет 2133 МГц, скорость передачи данныx на вывод - 4266 Мбит/с • Ядро со сверxнизким напряжением и источники питания ввода-вывода • арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы • Запись CMD/ADR с одной скоростью передачи данныx, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу • Программируемая задержка ЧТЕНИЯ и ЗАПИСИ (RL/WL), выбираемая мощность выxодного привода (DS)

Технические параметры