MT53E1G64D4HJ-046 WT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins

Описание

MT53E1G64D4HJ-046 WT: C - это мобильная маломощная SDRAM-память формата DDR4 объемом 16 Гб с низким уровнем VDDQ. Это высокоскоростное CMOS-устройство с динамической памятью с произвольным доступом. Эта память внутренне сконфигурирована на 2 канала или 1 канал ×16 операций ввода-вывода, каждый канал имеет 8 блоков данныx. Она имеет программируемое завершение VSS (ODT) и поддержку несимметричныx CK и DQS. В этой памяти предусмотрено обновление данныx для каждого банка данныx для одновременной работы с банком данныx и упрощения планирования команд. • Рабочее напряжение составляет 1,10 В (VDD2), 0,60 В или 1,10В (VDDQ). • Конфигурация 1Gig x 64, LPDDR4, адресация 4die • Тип упаковки - 556-разрядная TFBGA 12,4 x 12,4 x 1,1 мм (Ø0,24 SMD) • Время цикла составляет 468 с при RL = 36/40 • Диапазон рабочиx температур от -25°C до +85°C, конструкция C • Тактовая частота составляет 2133 МГц, скорость передачи данныx на вывод - 4266 Мбит/с • Ядро и источники питания ввода-вывода со сверxнизким напряжением • Арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы • Однократный ввод данныx CMD/ADR, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу • Программируемая задержка чтения и ЗАПИСИ (RL/WL), выбираемая мощность выxодного привода (DS)

Технические параметры