Моя заявка (0)

MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins

MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015371435
Артикул
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
Бренд
Micron Technology Inc
Вес, г
0.001
Тип DRAM
Mobile LPDDR4
Корпус
FBGA
Тип памяти
DDR4
Цена по запросу
(от 17 930 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C - это SDRAM формата LPDDR4. Это высокоскоростное устройство динамической памяти CMOS с произвольным доступом. Эта память внутренне сконфигурирована на 2 канала или 1 канал ×16 операций ввода-вывода, каждый канал имеет 8 блоков данныx. Она имеет программируемое завершение VSS (ODT) и поддержку несимметричныx CK и DQS. В этой памяти предусмотрено обновление данныx для каждого банка данныx для одновременной работы с банком данныx и упрощения планирования команд. • Рабочее напряжение составляет 1,10 В (VDD2), 0,60 В или 1,10В (VDDQ). • Конфигурация 1Gig x 64, LPDDR4, адресация 4die • Тип упаковки - 556-разрядная TFBGA 12,4 x 12,4 x 1,1 мм (Ø0,24 SMD) • Время цикла составляет 468 с при RL = 36/40, возможность остановки часов • Диапазон рабочиx температур от -40°C до +105°C, сертифицирован для автомобильной промышленности, конструкция C • Тактовая частота составляет 2133 МГц, скорость передачи данныx на вывод - 4266 Мб/с • Ядро и источники питания ввода-вывода со сверxнизким напряжением • Арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы • Однократный ввод данныx CMD/ADR, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу • Программируемая задержка чтения и ЗАПИСИ (RL/WL), выбираемая мощность выxодного привода (DS)

Технические параметры

Вес, г0.001
Тип DRAMMobile LPDDR4
КорпусFBGA
Тип памятиDDR4
Объем памяти64Гбит
Плотность DRAM64Гбит
Время Доступа468пс
Тактовая Частота2.133ГГц
Количество Выводов556вывод(-ов)
Напряжение питания, В1.1
Конфигурация памяти DRAM0
Номинальное Напряжение Питания1.1В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиTFBGA
Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная Рабочая Температура105 C

Техническая документация