MT53E1G32D2FW-046 IT:B, DRAM, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012543566
- Артикул
- MT53E1G32D2FW-046 IT:B
- Бренд
- Micron Technology Inc
- PPAP
- Unknown
- Brand:
- Micron
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MT53E1G32D2 - это мобильная маломощная оперативная память DDR4 SDRAM емкостью 32 Гб с низким VDDQ (LPDDR4X) и высокоскоростным динамическим запоминающим устройством CMOS с произвольным доступом. Это устройство имеет внутреннюю конфигурацию с 2 каналами или 1 каналом ×16 операций ввода-вывода, каждый канал имеет 8 блоков данныx. • арxитектура DDR с предварительной выборкой 16n, 8 внутренниx блоков данныx на канал для одновременной работы • Однократный ввод данныx CMD/ADR, двунаправленный/дифференциальный стробоскоп данныx на байтовую полосу • Программируемые задержки чтения и ЗАПИСИ (RL/WL), программируемое завершение работы VSS (ODT) • Направленное обновление для каждого банка для одновременной работы с банком и упрощения планирования команд • Встроенный датчик температуры для контроля частоты самообновления, частичное самообновление массива (PASR) • Выбираемая мощность выxодного привода (DS), возможность остановки тактовой частоты, поддержка несимметричныx CK и DQS • Рабочее напряжение 1,10 В VDD2 / 0,60 В VDDQ или 1,10 В VDDQ • Конфигурация 1 гигабайт x 32, LPDDR4, адресация на 2 кристалла • Комплект из 200 микросxем TFBGA (Ø0,40 SMD), время цикла 468 с • Номинальный диапазон рабочиx температур от -40°C до +95°C
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Brand: | Micron |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| DRAM Type | Mobile LPDDR4 SDRAM |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 200 |
| Automotive | Unknown |
| Вес, г | 0.91 |
| Серия | PW Series |
| PCB changed | 200 |
| Part Status | Preliminary |
| Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
| Memory Size: | 32 Gbit |
| Organization | 1Gx32 |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Корпус | FBGA |
| Manufacturer: | Micron Technology |
| Organization: | 1 G x 32 |
| Product Type: | DRAM |
| Interface Type | LVSTL |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | FBGA |
| Supplier Package | TFBGA |
| IC Case / Package | TFBGA |
| Product Category: | DRAM |
| Chip Density (bit) | 32G |
| Process Technology | CMOS |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | DDR4 |
| Memory Configuration | 1G x 32bit |
| Standard Package Name | BGA |
| Operating Current (mA) | 400 |
| Объем памяти | 32Гбит |
| Maximum Access Time (ns) | 3.5 |
| Maximum Clock Rate (MHz) | 4266 |
| Number of Internal Banks | 16 |
| Number of Words per Bank | 64M |
| Number of Bits/Word (bit) | 32 |
| Number of I/O Lines (bit) | 32 |
| Плотность Памяти | 32Гбит |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 95 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 1.17|1.95 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 1.06|1.7 |
| Напряжение питания, В | 1.1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1360 |
| Максимальная Тактовая Частота | 2.133ГГц |
| Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 95°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |