Модуль памяти MT48LC8M16A2P-6A:L Micron 8М x 16б, 54 вывода

Описание

МИКРОСХЕМА MT48LC8M16A2P-6A:L, модуль памяти Конфигурация памяти DRAM 8М x 16бит DRAM Type SDR Количество Выводов 54 Номинальное Напряжение Питания 3.3 Максимальная Рабочая Температура 70 Тактовая Частота 167 Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TA) Объем памяти 128Mb (8M x 16) 128-Мб SDRAM - это высокоскоростной динамический ОЗУ, содержащий 134 217 728 бит. Внутри он организован как четырёх банковая DRAM с синхронным интерфейсом. Чтение и запись выполняются пакетами (burst): доступ начинается с выбранной ячейки и продолжается по заданному количеству ячеек в заданном порядке. Доступ начинается командой ACTIVE, за которой следует команда READ или WRITE. Адресные биты, зафиксированные одновременно с ACTIVE, выбирают банк и строку (BA[1:0] - банк, A[11:0] - строка). Адресные биты, зафиксированные с READ или WRITE, задают начальный столбец пакетного доступа. 128-Мб SDRAM использует внутренний конвейерный контур для высокой скорости. Архитектура совместима с правилом 2n prefetch, но позволяет менять столбцовый адрес каждый такт, обеспечивая полностью произвольный доступ. Пока один банк заряжается, можно обращаться к любому из трёх других; так PRECHARGE-циклы «скрыты» и достигается бесшовная высокоскоростная работа. Память рассчитана на питание 3,3 В. Поддерживаются автоматическое обновление и энергосберегающий режим power-down. Все входы/выходы совместимы с уровнями LVTTL.

Технические параметры

Техническая документация