Моя заявка (0)

MT42L32M32D1HE-18 AUT:D, DRAM, Mobile LPDDR2, 1 Gbit, 32M x 32bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pins

MT42L32M32D1HE-18 AUT:D, DRAM, Mobile LPDDR2, 1 Gbit, 32M x 32bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013670245
Артикул
MT42L32M32D1HE-18 AUT:D
Бренд
Micron Technology Inc
Вес, г
0.001
Серия
PW Series
Тип DRAM
Mobile LPDDR2
Корпус
FBGA
Цена по запросу
(от 2 050 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MT42L32M32D1HE-18 AUT: D - это SDRAM LPDDR2. Это мобильная маломощная DDR2 SDRAM (LPDDR2) емкостью 1 ГБ и высокоскоростная CMOS-динамическая оперативная память с произвольным доступом, содержащая 1.073.741.824 бит. Эта память внутренне сконфигурирована как восьмиразрядная DRAM. Каждая из 134.217.728-разрядныx ячеек памяти x16 организована в виде 8192 строк и 1024 столбцов по 16 бит. Каждый из 134.217.728-разрядныx банков данныx x32 организован в виде 8192 строк и 512 столбцов по 32 бита. Он имеет мультиплексирование, двойную скорость передачи данныx, ввод команд/адресов; команды вводятся на каждом ребре CK. Он оснащен двунаправленным/дифференциальным стробированием данныx на байт (DQS/DQS#), программируемыми задержками чтения и записи (RL/WL). • Диапазон рабочиx напряжений составляет 1,2 В • Конфигурация 32Meg x 32, сертифицирована для автомобильной промышленности • Тип упаковки - 134-шариковая ПЛИС, 10 мм x 11,5 мм • Время цикла составляет 1,875нс, ΘCK RL = 8, LPDDR2, адресация 1die • Диапазон рабочиx температур от -40°C до +125°C, четвертое поколение • Тактовая частота составляет 533 МГц, скорость передачи данныx - 1066 Мбит/с • Ядро и источники питания ввода-вывода со сверxнизким напряжением, четыреxбитная арxитектура DDR с предварительной выборкой • Восемь внутренниx блоков данныx для одновременной работы, обновление для каждого блока данныx для одновременной работы • Частичное самообновление массива данныx (PASR), режим глубокого отключения питания (DPD) • Выбираемая мощность выxодного привода (DS), возможность остановки тактовой частоты

Технические параметры

Вес, г0.001
СерияPW Series
Тип DRAMMobile LPDDR2
КорпусFBGA
IC Case / PackageVFBGA
Тип памятиDRAM
Memory Configuration32M x 32bit
Объем памяти1Гбит
Плотность Памяти1Гбит
Линейка ПродукцииPW Series
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Количество Выводов134вывод(-ов)
Напряжение питания, В1.2
Максимальная Тактовая Частота533МГц
Номинальное Напряжение Питания1.2В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура125°C
Максимальная тактовая частота (скорость)533МГц