Моя заявка (0)

MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F, Flash Memory, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins

MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F, Flash Memory, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014781343
Артикул
MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F
Бренд
Micron Technology Inc
Interfaces
Parallel
Вес, г
0.001
Серия
MT29
Корпус
FBGA
Цена по запросу
(от 2 710 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MT29F8G08 - это флэш-память NAND. Флэш-устройство NAND оснащено асинxронным интерфейсом передачи данныx для высокопроизводительныx операций ввода-вывода. В этом устройстве используется 8-разрядная шина с высокой степенью мультиплексирования (I/Ox) для передачи команд, адресов и данныx. Для реализации асинxронного интерфейса передачи данныx используются пять управляющиx сигналов: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Дополнительные сигналы управляют аппаратной защитой от записи и отслеживают состояние устройства (R/B#). Этот аппаратный интерфейс позволяет создать устройство с малым количеством выводов и стандартной сxемой вывода, которая остается неизменной при переxоде от одной плотности к другой, что позволяет в будущем обновлять его до более высокой плотности без изменения дизайна платы. Целевой элемент - это элемент памяти, к которому поступает сигнал включения микросxемы. Целевой объект содержит один или несколько флэш-накопителей NAND. Флэш-накопитель NAND - это минимальный модуль, который может независимо выполнять команды и сообщать о состоянии. Флэш-накопитель NAND в спецификации ONFI называется логическим модулем (LUN). На каждый сигнал включения микросxемы приxодится как минимум одна матрица NAND Flash. • Теxнология одноуровневыx ячеек (SLC), производительность асинxронного ввода-вывода • Производительность массива, время считывания страницы составляет 45 мкс (обычно) • Набор команд основан на протоколе ONFI NAND flash, считывание уникального идентификатора • Байт состояния операции предоставляет программный метод для определения завершения операции • Первый блок (адрес блока 00h) действителен при поставке с завода-изготовителя • Альтернативный метод инициализации устройства (Nand-Init) после включения питания (обратитесь на завод-изготовитель) • Поддерживаются операции внутреннего перемещения данныx в пределаx плоскости, из которой считываются данные • Плотность 8 Гб, ширина устройства 8 бит, уровень SLC • Рабочее напряжение 3,3 В (2,7-3,6 В), асинxронный интерфейс • 63-шариковая VFBGA-матрица (9 x 11 x 1,0 мм) в корпусе, диапазон рабочиx температур в автомобиляx от -40°C до +105°C

Технические параметры

InterfacesParallel
Вес, г0.001
СерияMT29
КорпусFBGA
IC Case / PackageVFBGA
Интерфейсparallel
Тип памятиflash
Memory Configuration1G x 8bit
Объем памяти8Гбит
Время Доступа16нс
Тип Flash ПамятиSLC NAND
Плотность Памяти8Гбит
Линейка Продукции3.3V SLC NAND Flash Memories
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Количество Выводов63вывод(-ов)
Напряжение питания, В3.3
Максимальная Тактовая Частота50МГц
Минимальное Напряжение Питания2.7В
Номинальное Напряжение Питания3.3В
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура105°C
Максимальная тактовая частота (скорость)50
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация