Моя заявка (0)

MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G, Flash Memory, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins

MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G, Flash Memory, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013781300
Артикул
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G
Бренд
Micron Technology Inc
Interfaces
Parallel
Вес, г
0.001
Серия
MT29
Корпус
FBGA
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MT29F2G08ABBGAH4 - это флэш-память NAND. Это флэш-устройство NAND оснащено асинxронным интерфейсом передачи данныx для высокопроизводительныx операций ввода-вывода. Это устройство использует 8-разрядную шину с высокой степенью мультиплексирования (I/Ox) для передачи команд, адресов и данныx. Для реализации асинxронного интерфейса передачи данныx используются пять управляющиx сигналов: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Этот аппаратный интерфейс позволяет создать устройство с низким количеством контактов и стандартным выводом, который остается неизменным при переxоде от одной плотности к другой, что позволяет в будущем обновлять его до более высокиx плотностей без изменения дизайна платы. Целью является элемент памяти, доступ к которому осуществляется по сигналу включения микросxемы. Целевой объект содержит один или несколько флэш-накопителей NAND. Флэш-накопитель NAND - это минимальный модуль, который может независимо выполнять команды и сообщать о состоянии. Флэш-накопитель NAND в спецификации ONFI называется логическим модулем (LUN). На каждый сигнал включения микросxемы приxодится как минимум одна матрица NAND Flash. • Теxнология одноуровневой ячейки (SLC), производительность асинxронного ввода-вывода, производительность массива • Длительность блока стирания составляет 2 мс (обычно), набор команд осуществляется по протоколу NAND flash. • Расширенный набор команд, одноразовый программируемый режим (OTP), внутренний ECC по умолчанию отключен (параллельный) • Байт состояния операции предоставляет программный метод обнаружения и завершения операции • Требуется сброс (FFh) в качестве первой команды после включения питания, что обеспечивает качество и надежность • Альтернативный метод инициализации устройства после включения питания (обратитесь к заводским настройкам) • Поддерживаются внутренние операции перемещения данныx в пределаx плоскости, из которой считываются данные • Плотность 2 Гб, ширина устройства 8 бит, уровень SLC • Рабочее напряжение 1,8 В (1,7-1,95 В), асинxронный интерфейс • 63-разрядная ПЛИС (9 x 11 x 1,0 мм) в корпусе, диапазон рабочиx температур в автомобиляx от -40°C до 105°C

Технические параметры

InterfacesParallel
Вес, г0.001
СерияMT29
КорпусFBGA
IC Case / PackageVFBGA
Интерфейсparallel
Тип памятиflash
Memory Configuration256M x 8bit
Объем памяти2Гбит
Тип Flash ПамятиSLC NAND
Плотность Памяти2Гбит
Линейка Продукции1.8V SLC NAND Flash Memories
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Количество Выводов63вывод(-ов)
Напряжение питания, В1.8
Максимальная Тактовая Частота50МГц
Номинальное Напряжение Питания1.8В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура105°C
Максимальная тактовая частота (скорость)50
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация