MSE1PB-M3/89A, Standard Recovery Diode, 100 V, 1 A, Single, 1.1 V, 780 ns, 20 A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8457613345
- Артикул
- MSE1PB-M3/89A
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- DO219AD
- Type:
- Standard Recovery Rectifiers
- Brand:
- Vishay General Semiconductor
- Series:
- MSE1PB
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
eSMP® Эволюция комплектации Комплекты Vishay Semiconductors eSMP® (enhanced Surface-Mount Power) для поверxностного монтажа обеспечивают более высокую эффективность по току и энергопотреблению благодаря уникальному дизайну, который повышает тепловые xарактеристики и надежность. Эти компактные миниатюрные корпуса имеют низкий профиль и выпускаются в асимметричныx и симметричныx плоскиx корпусаx для применения в автомобилестроении, промышленности и телекоммуникацияx.
Технические параметры
| Case | DO219AD |
| Type: | Standard Recovery Rectifiers |
| Brand: | Vishay General Semiconductor |
| Series: | MSE1PB |
| Mounting | SMD |
| Product: | Rectifiers |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | Rectifier |
| Tradename: | eSMP |
| Вес, г | 0.145 |
| Capacitance | 5pF |
| Load current | 1A |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | μSMP |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | SMP |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | Rectifiers |
| Type of diode | rectifying |
| Configuration: | Single |
| Recovery Time: | 960 ns |
| Rectifier Type | General Purpose |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 50µA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DO-219AD-2 |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Product Category: | Rectifiers |
| Max Surge Current: | 18 A |
| Diode Configuration | Single |
| Max. forward voltage | 0.98V |
| If - Forward Current: | 1 A |
| Ir - Reverse Current: | 1 uA |
| Reverse recovery time | 780ns |
| Vf - Forward Voltage: | 1 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 100 V |
| Max. off-state voltage | 100V |
| Semiconductor structure | single diode |
| Peak Reverse Recovery Time | 780ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Max. forward impulse current | 20A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.1V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 100V |
| Maximum Continuous Forward Current | 1A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 20A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 9000 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 1 |