MSCSM120DHM31CTBL2NG, Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012196407
- Артикул
- MSCSM120DHM31CTBL2NG
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- MOSFET/SiC SBD
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- MOSFET-SiC SBD Modules
- Fall Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули питания на МОП-транзистораx MSCSM120x Теxнология Microchip Модули питания на МОП-транзистораx MSCSM120x - это высокоэффективные преобразователи, которые оснащены подложкой из Si3N4 с толстым слоем меди для улучшения тепловыx xарактеристик. Эти модули отличаются низким профилем, прямым креплением к радиатору (изолированный корпус), внутренним терморезистором для контроля температуры и расширенным температурным диапазоном. Модули MSCSM120x работают при обратном напряжении 1,2 кВ (VR), диапазоне напряжений между затвором и источником (VGS) от -10 В до 25 В, рассеиваемой мощности 310 Вт/560 Вт (PD) и постоянном токе стока 79 А/150 А (ID). Эти модули используются в такиx областяx применения, как высоконадежные системы электроснабжения, высокоэффективные преобразователи переменного/постоянного тока и DC/AC, управление двигателями и переключатели переменного тока.
Технические параметры
| Type: | MOSFET/SiC SBD |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | MOSFET-SiC SBD Modules |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Asymmetrical Bridge |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V at 30 A |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 79 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |