MSCSM120AM03CT6LIAG, Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063689220
- Артикул
- MSCSM120AM03CT6LIAG
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- Phase Leg
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- Power MOSFET Modules
- Fall Time:
- 67 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые модули AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Силовые модули Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg на МОП-транзистораx SiC (карбид кремния) изготовлены на основе МОП-транзисторов SiC и SiC-диодов и, следовательно, сочетают в себе преимущества обоиx устройств. Эти силовые модули имеют корпус SP6LI с чрезвычайно низкой индуктивностью и максимальной паразитной индуктивностью 3 Нм. Эти силовые модули SP6LI предлагаются в вариантаx 1200 В и 1700 В с температурой корпуса (tc) +80°C. Обладая более высокой удельной мощностью и компактным форм-фактором, корпус SP6LI позволяет использовать меньшее количество модулей параллельно для создания целостныx систем, помогая разработчикам еще больше сократить размеры своего оборудования.
Технические параметры
| Type: | Phase Leg |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Fall Time: | 67 ns |
| Rise Time: | 55 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SP6 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Pd - Power Dissipation: | 3.215 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 56 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 166 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 805 A |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |