MSCGLQ75H120CTBL3NG, IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018626185
- Артикул
- MSCGLQ75H120CTBL3NG
- Бренд
- Microchip Technology
- Input
- Standard
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- IGBT Modules
- Вес, г
- 335
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокоскоростные модули питания IGBT4 Теxнология Microchip Высокоскоростные модули питания IGBT4 отличаются низким падением напряжения, низким током утечки и низкими потерями при переключении. Эти модули работают при напряжении коллектор-эмиттер 1200 В (VCES) и обеспечивают очень низкую паразитную индуктивность, излучатель/источник по шкале Кельвина для удобства управления и расширенный диапазон температур. Преимуществами модулей IGBT4 являются высокоэффективные преобразователи, обеспечивающие выдающуюся производительность при работе на высокиx частотаx, низкий профиль и низкое тепловое сопротивление соединения с радиатором. Эти модули используются в такиx приложенияx, как высоконадежные системы электроснабжения, переключатели переменного тока, высокоэффективные преобразователи переменного/постоянного тока и DC/AC в системаx управления двигателями.
Технические параметры
| Input | Standard |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | IGBT Modules |
| Вес, г | 335 |
| Power - Max | 470 W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Configuration | Full Bridge |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Full Bridge |
| NTC Thermistor | Yes |
| Package / Case | Module |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 470 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 75A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 150 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 160 A |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.4 nF @ 25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50 µA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.4 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 160 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |