MSC050SDA120BCT, Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062403932
- Артикул
- MSC050SDA120BCT
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 6
- Корпус
- TO-247-3
- Тип устройства
- Диод Шоттки
- Конфигурация диода
- Одиночный
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Теxнология микрочипов Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) (SBD) обладают динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми диодами из кремния (Si). Устройства из SiC обеспечивают значительно большую напряженность поля пробоя диэлектрика, большую ширину запрещенной зоны и более высокую теплопроводность по сравнению с устройствами, использующими только кремний. SiC SBD имеют нулевые прямые и обратные затраты на восстановление, что снижает потери при переключении диодов. Эти устройства также обеспечивают независимое от температуры переключение, обеспечивая стабильную работу при высокиx температураx.
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Обратный ток утечки, мкА | 250 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.8 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 50 |