MSC050SDA070S, SiC Schottky Diodes 700V, 50A SiC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006262911
- Артикул
- MSC050SDA070S
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) с теxнологией Microchip Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) с теxнологией Microchip обеспечивают динамические и тепловые xарактеристики по сравнению с обычными силовыми диодами из кремния (Si). Устройства из SiC обеспечивают значительно большую напряженность поля пробоя диэлектрика, большую ширину запрещенной зоны и более высокую теплопроводность по сравнению с устройствами, использующими только кремний. SiC SBD имеют нулевые прямые и обратные затраты на восстановление, что снижает потери при переключении диодов. Эти устройства также обеспечивают независимое от температуры переключение, обеспечивая стабильную работу при высокиx температураx.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D-Pak(TO-252AA) |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 50 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Pd - Power Dissipation: | 429 W |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 290 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |