Моя заявка (0)

1200V 10A, SiC Schottky Rectifier & Schottky Diode, TO-220 MSC010SDA120K

1200V 10A, SiC Schottky Rectifier & Schottky Diode, TO-220 MSC010SDA120K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014586844
Артикул
MSC010SDA120K
Бренд
Microchip Technology
Brand:
Microchip Technology
Series
MSC0
Series:
MSC0
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые барьерные диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) на микросxемаx (SBD) повышают производительность по сравнению с решениями на основе кремниевыx диодов при одновременном снижении общей стоимости владения для высоковольтныx применений.

Технические параметры

Brand:Microchip Technology
SeriesMSC0
Series:MSC0
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Diode TypeSiC Schottky
Packaging:Tube
Вес, г1
СерияMSC0
Technology:SiC
Package TypeTO-220
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-220
Manufacturer:Microchip
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Rectifier TypeSchottky Diode
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-2
Diode TechnologySchottky Barrier
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:27 A
Ir - Reverse Current:3 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Pd - Power Dissipation:136 W
Ifsm - Forward Surge Current:75 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Peak Reverse Repetitive Voltage1200V
Maximum Continuous Forward Current10A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация