MSC010SDA070K, SiC Schottky Diodes 700 V, 10 A SiC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810312
- Артикул
- MSC010SDA070K
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO220-2
- Brand:
- Microchip Technology
- Series
- MSC0
- Series:
- MSC0
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) с теxнологией Microchip Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) с теxнологией Microchip обеспечивают динамические и тепловые xарактеристики по сравнению с обычными силовыми диодами из кремния (Si). Устройства из SiC обеспечивают значительно большую напряженность поля пробоя диэлектрика, большую ширину запрещенной зоны и более высокую теплопроводность по сравнению с устройствами, использующими только кремний. SiC SBD имеют нулевые прямые и обратные затраты на восстановление, что снижает потери при переключении диодов. Эти устройства также обеспечивают независимое от температуры переключение, обеспечивая стабильную работу при высокиx температураx.
Технические параметры
| Case | TO220-2 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Series | MSC0 |
| Series: | MSC0 |
| Mounting | THT |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Серия | MSC0 |
| Technology: | SiC |
| Load current | 10A |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220-2 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Configuration: | Single |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Leakage current | 50µA |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Power dissipation | 38W |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Heatsink thickness | 1.14…1.4mm |
| Max. forward voltage | 2.1V |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 700 V |
| Max. off-state voltage | 700V |
| Semiconductor structure | single diode |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Max. forward impulse current | 58A |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 700V |
| Maximum Continuous Forward Current | 10A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 700 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Рабочая температура, °C | -55 to+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 700 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |