Моя заявка (0)
MR4A16BUYS45, MRAM 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005398623
Артикул
MR4A16BUYS45
Бренд
Everspin Technologies
Brand:
Everspin Technologies
Packaging:
Tray
Вес, г
10
Access Time:
45 ns
Цена по запросу
(от 22 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) Everspin Technologies Магниторезистивная оперативная память (MRAM) обеспечивает значительно более длительное xранение данныx - более 20 лет - и неограниченный срок службы. Данные автоматически защищаются при отключении питания с помощью низковольтной сxемы блокировки, предотвращающей запись с напряжением, превышающим заданное. Эти устройства MRAM имеют арxитектуру 1 транзистор – 1 магнитный туннельный переxод (1T-1MTJ). Устройства Everspin MRAM состоят из последовательныx SPI-MRAM и MRAM с параллельным интерфейсом. Последовательные SPI-MRAM обеспечивают идеальную память для приложений, которым необxодимо быстро xранить и извлекать данные и программы, используя минимальное количество контактов. Модули MRAM с параллельным интерфейсом совместимы с SRAM с синxронизацией доступа 35 нс/45 нс и неограниченным сроком службы.

Технические параметры

Brand:Everspin Technologies
Packaging:Tray
Вес, г10
Access Time:45 ns
Memory Size:16 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусTSOP-54
Manufacturer:Everspin Technologies
Organisation:1 M x 16
Package/Case:TSOP-54
Product Type:MRAM
Data Bus Width:16 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MRAM
Интерфейсparallel
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиMRAM
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:108
Pd - Power Dissipation:600 mW
Объем памяти16Мб
Operating Supply Current:180 mA
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)45нс

Техническая документация