Моя заявка (0)
MR4A08BYS35, MRAM 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005398619
Артикул
MR4A08BYS35
Бренд
Everspin Technologies
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
Brand:
Everspin Technologies
Package
Tray
Цена по запросу
(от 9 528,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Параллельные MRAM-памяти MR4A08B и MR4A16B объемом 16 Мб Параллельные MRAM-устройства Everspin Technologies MR4A08B и MR4A16B емкостью 16 Мб обеспечивают синxронизацию чтения/записи, совместимую с SRAM, в течение 35 нс с неограниченным сроком службы. Everspin Technologies MR4A08B представляет собой 16.777.216-разрядное устройство магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), состоящее из 2.097.152 слов по 8 бит.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0071
Brand:Everspin Technologies
PackageTray
Series:MR4A08B
Packaging:Tray
TechnologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
Вес, г12.08
СерияMR4A08B
Access Time35ns
Memory Size16Mb (2M x 8)
Memory TypeNon-Volatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:35 ns
Memory Size:16 Mbit
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Memory & Data Storage
Корпус44-TSOP
Manufacturer:Everspin Technologies
Memory FormatRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organization:2 M x 8
Product Type:MRAM
Package / Case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Data Bus Width:8 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-44
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply3V ~ 3.6V
Product Category:MRAM
Интерфейсparallel
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиMRAM
Operating Temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Supplier Device Package44-TSOP2
Объем памяти16Мб
Operating Supply Current:100 mA
Write Cycle Time - Word, Page35ns
Maximum Operating Temperature:+70 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В3.3
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:135
Максимальная тактовая частота (скорость)35нс

Техническая документация