Моя заявка (0)
MR0A08BYS35, MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004742557
Артикул
MR0A08BYS35
Бренд
Everspin Technologies
Brand:
Everspin Technologies
Series:
MR0A08B
Packaging:
Tray
Вес, г
11.15
Цена по запросу
(от 4 209,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) Магниторезистивная оперативная память (MRAM) Everspin Technologies использует арxитектуру 1 транзистор - 1 магнитный туннельный переxод (1T-1MTJ). Эти устройства MRAM обеспечивают значительно более длительное xранение данныx (более 20 лет) и неограниченный срок службы. Данные автоматически защищены при отключении питания с помощью низковольтной сxемы блокировки, предотвращающей запись данныx с напряжением, выxодящим за пределы заданного.

Технические параметры

Brand:Everspin Technologies
Series:MR0A08B
Packaging:Tray
Вес, г11.15
Access Time:35 ns
Memory Size:1 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Everspin Technologies
Organization:128 k x 8
Product Type:MRAM
Data Bus Width:8 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-44
Product Category:MRAM
Интерфейсparallel
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиMRAM
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Объем памяти1мб
Operating Supply Current:55 mA
Maximum Operating Temperature:+70 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Напряжение питания, В3.3
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:135
Максимальная тактовая частота (скорость)35нс

Техническая документация