Моя заявка (0)

MPXV1D1770L6R8, Дроссель: ферритовый, 6,8мкГн, Iраб: 19,5А, 6,8мОм, ±20%, Isat: 26А

MPXV1D1770L6R8, Дроссель: ферритовый, 6,8мкГн, Iраб: 19,5А, 6,8мОм, ±20%, Isat: 26А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003248809
Артикул
MPXV1D1770L6R8
Бренд
Kemet Electronics
Tolerance
±20%
Inductance
6.8µH
Resistance
6.8mΩ
Вес, г
11.23
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Индуктивность ферритовый дроссель MPXV1D1770L6R8 производства KEMET – высоконадежный компонент для современной электроники. Обладает индуктивностью 6,8 мкГн с допустимой погрешностью ±20%. Рассчитан на рабочий ток до 19,5 А, что позволяет использовать его в устройствах с высоким энергопотреблением. Дроссель гарантирует стабильную работу в широком диапазоне температур от -55°C до +155°C, что делает его идеальным выбором для применений в условиях экстремальных температур. Продукт MPXV1D1770L6R8 от KEMET – это надежное решение для управления и фильтрации электромагнитных помех в различных электронных схемах. Характеристики Категория Индуктивность Тип дроссель Вид ферритовый Индуктивность 6.8 Ед.изм. индуктивности мкГн Погрешность ±, % 20 Рабочий ток макс., А 19.5 Рабочая температура мин.,°C -55 Рабочая температура макс., °C 155

Технические параметры

Tolerance±20%
Inductance6.8µH
Resistance6.8mΩ
Вес, г11.23
СерияMPXPXV
ManufacturerKEMET
Type of inductorferrite
Operating current19.5A
Resonant frequency8MHz
Saturation current26A
Conform to the normAEC Q200
Ток СКЗ (Irms)19.5А
Operating temperature-55…155°C
Особенностисиловая, ферритовый сердечник
Индуктивность6.8мкГн
Способ монтажаSMD/SMT
Ток Насыщения (Isat)26А
Линейка ПродукцииMPXV Series
Допуск Индуктивности±20%
Рабочая температура,С-55…+155
Конструкция ПроводникаЭкранированный
Активное сопротивление,Ом6, 8мОм
Корпус Силового Индуктора17мм x 17, 1мм x 7мм
Максимальное DC Сопротивление6.8мкОм
Максимальный постоянный ток,мА19500
Номинальная индуктивность, мкГн6.8
Допуск номинальной индуктивности,%20

Техническая документация