MPXV1D0520L4R7, Power Inductors - SMD 4.7uH 20% 3.4A DCR=96.6mOhms AECQ2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059825518
- Артикул
- MPXV1D0520L4R7
- Бренд
- Kemet Electronics
- Tolerance
- ±20%
- Inductance
- 4.7µH
- Resistance
- 96.6mΩ
- Вес, г
- 0.06
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Индуктивность ферритовый дроссель MPXV1D0520L4R7 от производителя KEMET — это высококачественный компонент с индуктивностью 4,7 мкГн, обладающий допуском в ±20%. Данный дроссель способен выдерживать максимальный рабочий ток до 3,4 А и функционирует в широком диапазоне температур от -55°C до +155°C, что гарантирует его надежность и устойчивость в различных рабочих условиях. Продукт MPXV1D0520L4R7 идеально подходит для использования в современных электронных схемах, требующих стабильности и долговечности. Характеристики Категория Индуктивность Тип дроссель Вид ферритовый Индуктивность 4.7 Ед.изм. индуктивности мкГн Погрешность ±, % 20 Рабочий ток макс., А 3.4 Рабочая температура мин.,°C -55 Рабочая температура макс., °C 155
Технические параметры
| Tolerance | ±20% |
| Inductance | 4.7µH |
| Resistance | 96.6mΩ |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | MPXPXV |
| Manufacturer | KEMET |
| Type of inductor | ferrite |
| Operating current | 3.4A |
| Resonant frequency | 26MHz |
| Saturation current | 4.5A |
| Conform to the norm | AEC Q200 |
| Ток СКЗ (Irms) | 3.4А |
| Operating temperature | -55…155°C |
| Особенности | силовая |
| Inductor Case / Package | 2020(5050 Metric) |
| Индуктивность | 4.7мкГн |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Длина корпуса,мм | 5 |
| Ток Насыщения (Isat) | 4.5А |
| Линейка Продукции | MPXV Series |
| Допуск Индуктивности | ±20% |
| Рабочая температура,С | -55…+155 |
| Конструкция Проводника | Экранированный |
| Активное сопротивление,Ом | 96, 6мОм |
| Корпус Силового Индуктора | 5.3мм x 5мм x 2мм |
| Максимальное DC Сопротивление | 96.6мкОм |
| Максимальный постоянный ток,мА | 3400 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4.7 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |