MPMD100B120RH, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780W 7-Pin Case 7DM-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002115445
- Артикул
- MPMD100B120RH
- Бренд
- MagnaChip Semiconductor
- PPAP
- Unknown
- Mounting
- Screw
- Pin Count
- 7
- Automotive
- Unknown
Цена по запросу
(от 15 140 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный IGBT-модуль N-CH 1200V 150A 780 Вт, 7-контактный корпус 7DM-3
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Mounting | Screw |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | Unknown |
| Technology | NPT |
| Вес, г | 335 |
| PCB changed | 7 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Корпус | Module |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 62.5 |
| Package Length | 108.5 |
| Supplier Package | Case 7DM-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 780 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 150 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.7 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 780 |