Моя заявка (0)
MOC217R2M,Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, SOIC, 8 Pins, 60 mA, 2.5 kV, 100 %

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8826756358
Артикул
MOC217R2M
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.252
Длина
5.13 mm
Серия
MOC217M
Высота
3.43 mm
Цена по запросу
(от 124 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Оптопара транзисторная MOC217R2M производства ONSEMI выделяется своими высокими характеристиками, включая коэффициент передачи тока CTR в диапазоне 100-200% при токе 10mA, что делает ее идеальной для различных областей применения. С одним каналом и транзисторным видом выхода, данный компонент обеспечивает быстрое время включения в 7.5 мкс и выключения в 5.7 мкс, что существенно увеличивает эффективность работы устройства. Напряжение изоляции составляет 2.5 кВ, что гарантирует безопасность и надежность в работе. Корпус SO8 и монтаж SMD облегчают интеграцию в различные схемы. Использование MOC217R2M принесет высокую производительность и долговечность ваших электронных проектов. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 100-200%@10mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Время включения, мкс 7.5 Время выключения, мкс 5.7 Напряжение изоляции, кВ 2.5 Монтаж SMD Корпус SO8

Технические параметры

Вес, г0.252
Длина5.13 mm
СерияMOC217M
Высота3.43 mm
Ширина4.16 mm
Тип выходаNPN Phototransistor
Тип продуктаTransistor Output Optocouplers
If - прямой ток60 mA
Конфигурация1 Channel
ПодкатегорияOptocouplers
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOIC-Narrow-8
Категория продуктаТранзисторные выходные оптопары
Количество каналов1 Channel
Напряжение изоляции2500 Vrms
Vf - прямое напряжение1.3 V
Vr - обратное напряжение6 V
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №MOC217R2M_NL
Размер фабричной упаковки2500
Максимальный коллекторный ток150 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер30 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V

Техническая документация