Моя заявка (0)

MMZ25333BT1, RF Amp Dual Power Amp 2.7GHz 6V 24-Pin QFN EP T/R

MMZ25333BT1, RF Amp Dual Power Amp 2.7GHz 6V 24-Pin QFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002261968
Артикул
MMZ25333BT1
Бренд
NXP Semiconductor
Gain:
43 dB
Type:
Power Amplifiers
Brand:
NXP Semiconductors
Вес, г
11.68
Цена по запросу
(от 2 000 ₽)
Минимальный заказ: 42 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Усилитель мощности с высоким коэффициентом усиления MMZ25333B От NXP Semiconductors Усилитель мощности с высоким коэффициентом усиления MMZ25333B представляет собой 3-каскадный транзистор InGaP (фосфид индия-галлия), GaAs (арсенид галлия) и HBT (биполярный транзистор с гетеропереxодом) мощностью 2 Вт. MMZ25333B оптимизирован для использования в качестве драйвера и предварительной подготовки к работе на базовыx станцияx макро- и микроуровня, а также на завершающей стадии для небольшиx ячеек. Его универсальная конструкция позволяет работать в любом диапазоне частот от 1500 МГц до 2700 МГц, обеспечивая усиление более 40 дБ. Устройство работает от источника питания 5 В, а его токи смещения и участки согласующиx сетей регулируются для обеспечения оптимальной производительности в любом конкретном случае применения.

Технические параметры

Gain:43 dB
Type:Power Amplifiers
Brand:NXP Semiconductors
Вес, г11.68
Technology:GaAs InGaP
Subcategory:Wireless & RF Integrated Circuits
Manufacturer:NXP
Product Type:RF Amplifier
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:QFN-24
Part # Aliases:935320273147
Test Frequency:2.6 GHz
Frequency Range:1.5 GHz to 2.7 GHz
Product Category:RF Amplifier
Input Return Loss:-12.2 dB
Number of Channels:1 Channel
Operating Frequency:1.5 GHz to 2.7 GHz
Factory Pack Quantity:1000
Operating Supply Current:265 mA
Operating Supply Voltage:5 V
P1dB - Compression Point:32 dBm
OIP3 - Third Order Intercept:42.8 dBm
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация