MMSZ4V7T1G, Диод стабилитрон, 500мВт, 4,7В, SMD, бобина,лента, SOD123
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537944
- Артикул
- MMSZ4V7T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- Voltage Regulator
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 5,73 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стабилитрон 0.5Вт 4.7В
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Voltage Regulator |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Zener Type | Voltage Regulator |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.69 mm |
| Серия | MMSZ4V7 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOD-123 |
| Test Current | 5mA |
| Высота | 1.17 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | SOD-123 |
| Test Current (mA) | 5 |
| Diode Configuration | Single |
| Nominal Zener Voltage | 4.7V |
| Standard Package Name | SOD |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Maximum Zener Impedance | 80Ω |
| Zener Voltage Tolerance | 5% |
| Тип продукта | Zener Diodes |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Nominal Zener Voltage (V) | 4.7 |
| Ток испытаний | 5 mA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOD-123-2 |
| Ir - обратный ток | 3 uA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Zener Impedance (Ohm) | 80 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Зенеровский ток | 3 uA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum Reverse Leakage Current | 3µA |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Стабилитроны |
| Maximum Reverse Leakage Current (uA) | 3 |
| Vf - прямое напряжение | 900 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Допустимое отклонение напряжения | 5 % |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 4.7 V |
| Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 80 Ohms |