Моя заявка (0)

MMBZ5251BLT1G, Diode Zener Single 22V 5% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMBZ5251BLT1G, Diode Zener Single 22V 5% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001062982
Артикул
MMBZ5251BLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
Voltage Regulator
Brand
ON Semiconductor
Series
MMBZ5251B
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 2900 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стабилитрон одиночный 22В 5% 29 Ом 300 МВт 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeVoltage Regulator
BrandON Semiconductor
SeriesMMBZ5251B
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
Длина2.9 mm
СерияMMBZ5251B
PCB changed3
Part StatusActive
SubcategoryDiodes и Rectifiers
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeZener Diodes
Test Current5.6 mA
Высота1 mm
Ширина1.3 mm
ConfigurationSingle
Zener Current100 nA
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Product CategoryZener Diodes
Supplier PackageSOT-23
Termination StyleSMD/SMT
Test Current (mA)5.6
Vz - Zener Voltage22 V
Ir - Reverse Current100 nA
Vf - Forward Voltage900 mV
Zz - Zener Impedance29 Ohms
Factory Pack Quantity3000
Standard Package NameSOT
Вид монтажаSMD/SMT
Тип выводовSMD/SMT
Pd - Power Dissipation225 mW
Zener Voltage Tolerance5%
Тип продуктаZener Diodes
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Maximum Zener Voltage (V)23.1
Minimum Zener Voltage (V)20.9
Nominal Zener Voltage (V)22
Ток испытаний5.6 mA
Maximum Forward Voltage (V)0.9
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Ir - обратный ток100 nA
Maximum Operating Temperature+150 C
Maximum Zener Impedance (Ohm)29
Minimum Operating Temperature-65 C
Зенеровский ток100 nA
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаСтабилитроны
Maximum Power Dissipation @ 25C (mW)300
Maximum Reverse Leakage Current (uA)0.1
Vf - прямое напряжение900 mV
Pd - рассеивание мощности225 mW
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода22 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое29 Ohms

Техническая документация