MMBZ12VALT1G, Диод: TVS, 40Вт, 12В, 2,35А, двойной, общий анод, ±5%, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538146
- Артикул
- MMBZ12VALT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.03
- Серия
- MMBZ
- Корпус
- sot23
- Мощность
- 40
Цена по запросу
(от 12,01 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: TVS, 40Вт, 12В, 2,35А, двойной, общий анод, ±5%, SOT23 Характеристики Категория Диод Тип защитный
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | MMBZ |
| Корпус | sot23 |
| Мощность | 40 |
| Clamping Voltage Max | 17В |
| Полярность | Unidirectional |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Тип продукта | ESD Suppressors |
| Reverse Standoff Voltage | 8.5В |
| Квалификация | AEC-Q100 |
| Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Линейка Продукции | Серия MMBZ |
| Напряжение пробоя | 11.4 V |
| Категория продукта | Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 2 |
| Рабочее напряжение | 8.5 V |
| Стиль Корпуса Диода | SOT-23 |
| Напряжение фиксации | 17 V |
| Рабочая температура | -55…150 |
| Vf - прямое напряжение | 0.9 V |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Iпи - пиковый импульсный ток | 2.35 A |
| Типовое рабочее напряжение | 8.5 |
| Максимальный импульсный ток | 2.35 |
| Максимальное Напряжение Пробоя | 12.6В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Импульсная Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение фиксации | 17 |
| Максимальное обратное напряжение | 8.5 |
| Минимальное пробивное напряжение | 11.4 |
| Минимальное Значение Напряжения Пробоя | 11.4В |
| Полярность Ограничителя Бросков Напряжения | Однонаправленный |
| Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 30 kV |