Моя заявка (0)

MM3Z4V3T1G, Диод стабилитрон, 300мВт, 4,3В, SMD, бобина,лента, SOD323

MM3Z4V3T1G, Диод стабилитрон, 300мВт, 4,3В, SMD, бобина,лента, SOD323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8051589469
Артикул
MM3Z4V3T1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
Voltage Regulator
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 20,74 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стабилитроны 4.3V 200mW

Технические параметры

PPAPNo
TypeVoltage Regulator
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count2
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Zener TypeVoltage Regulator
Вес, г0.02
Длина1.7 mm
СерияMM3Z4V3
PCB changed2
Part StatusActive
Package TypeSOD-323
Test Current5mA
Высота0.9 mm
Ширина1.25 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageSOD-323
Test Current (mA)5
Diode ConfigurationSingle
Nominal Zener Voltage4.3V
Standard Package NameSOD
Вид монтажаSMD/SMT
Тип выводовSMD/SMT
Maximum Zener Impedance90Ω
Zener Voltage Tolerance5%
Тип продуктаZener Diodes
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Maximum Power Dissipation300 mW
Nominal Zener Voltage (V)4.3
Ток испытаний5 mA
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOD-323-2
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Zener Impedance (Ohm)90
Minimum Operating Temperature-65 °C
Зенеровский ток3 uA
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum Reverse Leakage Current3µA
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаСтабилитроны
Maximum Power Dissipation @ 25C (mW)300
Maximum Reverse Leakage Current (uA)3
Vf - прямое напряжение900 mV
Typical Voltage Temperature Coefficient-1.75mV/K
Pd - рассеивание мощности300 mW
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура65 C
Допустимое отклонение напряжения7 %
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Температурный коэффициент напряжения1.75 mV/K
Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода4.3 V
Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое90 Ohms

Техническая документация