Моя заявка (0)
MLZ2012A2R2MT000, Not Recommended for New DesignsPower Inductors - SMD 2.2 UH 20%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025432587
Артикул
MLZ2012A2R2MT000
Бренд
TDK/EPCOS
ECCN
EAR99
Type
Power Inductor
HTSUS
8504.50.8000
Series
MLZ
Цена по запросу
(от 9,90 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Экранированный многослойный индуктор емкостью 2,2мкГн 160 мА 260 Мом макс. 0805 (метрика 2012 года)

Технические параметры

ECCNEAR99
TypePower Inductor
HTSUS8504.50.8000
SeriesMLZ
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
ProductPower Inductors
Core TypeMultilayer
PackagingReel
ShieldingShielded
Tolerance20%
Inductance2.2 uH
Вес, г0.06
Серияmlz2012
Part StatusNot For New Designs
RoHS StatusROHS3 Compliant
SubcategoryInductors, Chokes & Coils
TerminationStandard
ManufacturerTDK
Product TypePower Inductors-SMD
REACH StatusREACH Unaffected
Core MaterialFerrite
Mounting TypeSurface Mount
Case Code - in0805
Case Code - mm2012
Current Rating160mA
Mounting StylePCB Mount
Package / Case0805(2012 metric)
Part # AliasesMLZ2012A2R2MT000
Test Frequency10 MHz
Material - CoreFerrite
Product CategoryPower Inductors-SMD
Size / Dimension0.079"" L x 0.049"" W (2.00mm x 1.25mm)
Termination StyleSMD/SMT
Maximum DC Current160 mA
Saturation Current210 mA
DC Resistance (DCR)260mOhm Max
Current - Saturation160mA
Current Rating (Amps)160mA
Height - Seated (Max)0.041"" (1.05mm)
Maximum DC Resistance260 mOhms
Operating Temperature-55В°C ~ 125В°C
Особенностисиловая, высокочастотная, многослойная
Supplier Device Package0805 (2012 Metric)
Frequency - Self Resonant100MHz
Current - Saturation (Isat)160mA
Inductance Frequency - Test10MHz
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature+125 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Длина корпуса,мм2
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Рабочая температура,С-55…+125
Активное сопротивление,Ом260мОм
Диаметр (ширина)корпуса,мм1.2
Максимальный постоянный ток,мА160
Номинальная индуктивность, мкГн2.2
Допуск номинальной индуктивности,%20

Техническая документация