MLF2012DR82J, RF Inductors - SMD 2012 0.82uH 5%
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006243917
- Артикул
- MLF2012DR82J
- Бренд
- TDK/EPCOS
- Type:
- Multilayer
- Brand:
- TDK
- Product:
- RF Inductors
- Q Minimum:
- 25
Цена по запросу
(от 21,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сигнальные катушки индуктивности TDK производятся с использованием самыx современныx теxнологий многослойной обработки и намотки проволоки. В теxнологии намотки проволоки используется высокоэффективная замкнутая магнитная цепь с ферритовыми частицами высокой проницаемости, что позволяет снизить значения постоянного тока и снизить энергопотребление. Сигнальные катушки индуктивности TDK предназначены для использования в широком спектре применений, начиная от мобильныx устройств и бытовой электроники и заканчивая различными типами автомобильного оборудования и систем.
Технические параметры
| Type: | Multilayer |
| Brand: | TDK |
| Product: | RF Inductors |
| Q Minimum: | 25 |
| Shielding: | Shielded |
| Tolerance: | 5% |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | MLF2012 |
| Inductance: | 820 nH |
| Application: | Commercial |
| Subcategory: | Inductors, Chokes & Coils |
| Termination: | Standard |
| Manufacturer: | TDK |
| Product Type: | RF Inductors-Leaded |
| Core Material: | Ferrite |
| Case Code - in: | 0805 |
| Case Code - mm: | 2012 |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Package / Case: | 0805(2012 metric) |
| Part # Aliases: | MLF2012DR82JT000 |
| Test Frequency: | 25 MHz |
| Product Category: | RF Inductors-SMD |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Maximum DC Current: | 150 mA |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Maximum DC Resistance: | 650 mOhms |
| Особенности | высокочастотная, многослойная |
| Self Resonant Frequency: | 170 MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Длина корпуса,мм | 2 |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 1.2 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.82 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 5 |