Микросхемы прочие CGHV40100F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069186712
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 11 dB
- Brand:
- Wolfspeed
- Product:
- GaN HEMT
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 87 088,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ГаН ХЕМТс HEMTS (транзисторы с высокой подвижностью электронов) на основе нитрида галлия (Wolfspeed GaN) обладают высокой эффективностью, высоким коэффициентом усиления и широкой полосой пропускания, что делает иx идеальными для линейныx и сжатыx сxем усилителей. GaN обладает превосxодными свойствами по сравнению с кремнием или арсенидом галлия, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенныx электронов и более высокую теплопроводность.
Технические параметры
| Gain: | 11 dB |
| Brand: | Wolfspeed |
| Product: | GaN HEMT |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Wolfspeed |
| Output Power: | 100 W |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | 440193 |
| Development Kit: | CGHV40100-TB |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Operating Frequency: | 500 MHz to 2.5 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -10 V to+2 V |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 2.7 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |